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Intel Corporation
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Intel und Micron stellen neuen 3D NAND Flash Speicher vor
Neueste Entwicklung bietet im Vergleich zu anderen NAND Technologien dreifach höhere
Kapazität
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Die 3D NAND Technologie nutzt Floating-Gate-Zellen und schafft die Voraussetzung
für Flash Speichergeräte mit der weltweit höchsten Speicherdichte – die Kapazität ist
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dreimal so hoch wie bei anderen aktuell hergestellten NAND-Bausteinen.
3D NAND erlaubt die Herstellung von SSDs in der Grösse eines Kaugummistreifens
mit mehr als 3,5 TByte Speicherplatz sowie für Standard SSDs im 2,5 Zoll-Format mit
einer Kapazität von mehr als 10 TByte.
Innovative Prozessarchitektur erweitert das Moore‘sche Gesetz auf Flash Speicher und
erhöht die Speicherdichte enorm, während gleichzeitig die Kosten für NAND Flash
sinken.
Zürich, 26.03.2015 – Intel und Micron haben heute ihre gemeinsam entwickelte 3D NAND
Technologie vorgestellt, die Flash-Bausteine mit der weltweit höchsten Speicherdichte
möglich macht. Flash kommt als Speichertechnologie in den leichtesten Notebooks,
schnellsten Rechenzentren und nahezu in jedem Mobiltelefon und Tablet zum Einsatz.
Die neue 3D NAND Technologie stapelt Schichten aus Datenspeicherzellen vertikal mit
ausserordentlicher Präzision, so dass künftige SSDs und andere Datenspeicher eine dreimal
höhere Kapazität1 aufweisen als bei konkurrierenden NAND Technologien. Die höhere
Speicherdichte erlaubt kleinere Formfaktoren, senkt Kosten sowie Stromverbrauch und liefert
hohe Leistung - sowohl für mobile Endgeräte von Privatnutzern als auch für komplexe
Unternehmensumgebungen.
Da die Skalierungsgrenzen für flache NAND Flash Speicher nahezu ausgereizt sind, steht
die Speicherindustrie vor grossen Herausforderungen. Die 3D NAND Technologie hebt diese
Grenzen auf, da sie das Moore’sche Gesetz auf Flash Speicher überträgt und so den Weg für
weitere Leistungssteigerungen und Kosteneinsparungen sowie den verstärkten Einsatz von Flash
Speichern ebnet.
„Aus der Zusammenarbeit von Micron und Intel ist eine marktführende, einzigartige
Solid State Speichertechnologie entstanden, die hohe Dichte, Leistung und Effizienz bietet“,
sagte Brian Shirley, Vice President Memory Technology and Solutions bei Micron Technology.
„Diese 3D NAND Technologie hat das Potenzial, den Markt fundamental zu ändern. Bislang
können wir bei Flash Speichern nur einen kleinen Teil dessen überblicken, was möglich ist.“
„Die Entwicklung zusammen mit Micron steht für unser gemeinsames Ziel, innovative
Technologien für nicht-flüchtigen Speicher auf den Markt zu bringen", sagte Rob Crooke, Vice
President und General Manager der Non-Volatile Memory Solutions Group bei Intel. „Die
signifikante Verbesserung hinsichtlich Dichte und Kosten durch unsere neue 3D NAND
Technologie wird den Einsatz von SSDs in Computing-Plattformen beschleunigen.“
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Intel/Page 2
Innovative Prozessarchitektur
Einer der wichtigsten Aspekte der 3D NAND Technologie ist die zugrunde liegende
Speicherzelle. Intel und Micron verwendeten eine Floating-Gate-Zelle, ein universell
einsetzbares Design, das im Laufe der Jahre in der Fertigung von flachen Flash-Speichern stetig
verfeinert wurde. Ein Floating-Gate ist im Transistor elektrisch isoliert, wird als
Ladungsspeicher verwendet und kann so auch ohne Stromzufuhr Informationen behalten. Intel
und Micron nutzen erstmals Floating-Gate-Zellen im 3D NAND Verfahren. Diese GrundsatzEntscheidung bildet den Schlüssel für höhere Leistung, Qualität und Zuverlässigkeit.
Die neue 3D NAND Technologie stapelt 32 Schichten aus Speicherzellen vertikal in
einem Standard Package und erreicht so in Multi Level Cells (MLC) eine Kapazität von 256
Gigabit, in Triple Level Cells eine Kapazität von 384 Gigabit. Bei Multi-Level-Cells werden
zwei, bei Triple-Level-Cells drei Bit pro Zelle gespeichert. Dadurch sind SSDs in der Grösse
eines Kaugummistreifens mit mehr als 3,5 TByte Speicherplatz möglich sowie Standard SSDs
im 2,5 Zoll Format mit einer Kapazität von mehr als 10 TByte. Da die Kapazität durch vertikales
Stapeln der Speicherzellen erreicht wird, können die einzelnen Zellen erheblich grösser sein. Da
dies die Leistung und Ausdauer erhöhen wird, dürften sich künftig auch TLC-Designs als
Datenspeicher im Rechenzentrum eignen.
Hier die wichtigsten Eigenschaften der 3D NAND Technologie:
 Hohe Kapazität: Dreifache Kapazität im Vergleich zu existierender 3D Technologie; bis
zu 48 GB NAND pro Die, so dass rund 750 GByte Daten in ein einziges Package in der
Grösse einer Fingerkuppe passen.
 Reduzierte Kosten pro GByte: Die erste Generation 3D NAND ist so konzipiert, dass
sie kosteneffizienter als flacher NAND Speicher arbeitet.
 Schnell: Hohe Lese-/Schreib-Bandbreite, I/O-Geschwindigkeit und hohe
Geschwindigkeit beim zufälligen Lesen (Random Read)
 Umweltschonend: Neue Sleep-Modi senken den Stromverbrauch, da sie die Stromzufuhr
zu nicht aktiven NAND-Zellen unterbinden (selbst wenn die anderen Zellen im selben
Package aktiv sind). Damit sinkt der Stromverbrauch im Standby-Modus erheblich.
 Smart: Innovative neue Funktionen verbessern im Vergleich zu früheren Generationen
die Latenzzeit und Lebensdauer und vereinfachen die Systemintegration.
Verfügbarkeit
Erste Muster der 256 Gigabit MLC-Version der 3D NAND Zellen werden ab heute
gemeinsam mit ausgewählten Partnern hergestellt. Erste Muster der TLC-Variante mit 384
Gigabit sollen noch in diesem Frühjahr folgen. Die Massenproduktion der beiden Modelle soll
im vierten Quartal dieses Jahres starten – erste Probeläufe der Produktionslinie waren
erfolgreich. Beide Unternehmen entwickeln auch eigene SSD-Lösungen auf Basis von 3D
NAND Technologie und gehen davon aus, dass diese Produkte innerhalb des nächsten Jahres zur
Verfügung stehen.
Weitere Informationen über die neue 3D NAND Technologie inklusive Fotos und Videos
finden Sie im Intel Newsroom.
Intel/Page 3
Über Intel
Intel (NASDAQ: INTC) das weltweit führende Unternehmen in der Halbleiterinnovation,
entwickelt und produziert die grundlegende Technik für die Computerprodukte unserer Welt. Als
einer der Vorreiter in den Bereichen unternehmerischer Verantwortung und Nachhaltigkeit
produziert Intel die weltweit ersten auf dem Markt verfügbaren „konfliktfreien“
Mikroprozessoren. Weitere Informationen über Intel finden Sie unter
http://www.intel.de/newsroom und http://blogs.intel.com. Details zu Intels Engagement rund um
das Thema „konfliktfreie Materialien“ sind unter conflictfree.intel.com verfügbar.
1 Die Kapazitäts-Unterschiede basieren auf einem Vergleich des 384 Gb TLC 3D NAND von Micron und Intel mit
3D NAND TLC von anderen Herstellern.
Diese Pressemitteilung enthält zukunftsorientierte Aussagen. Zukunftsorientierte Aussagen sind Vorhersagen,
Prognosen und sonstige Aussagen über zukünftige Ereignisse, die auf derzeitigen Erwartungen und Annahmen
basieren und demzufolge Risiken und Unsicherheiten unterliegen. Viele Faktoren können dazu führen, dass
tatsächliche Ergebnisse wesentlich von den zukunftsorientierten Aussagen in diesem Dokument abweichen. Eine
detaillierte Erörterung der Faktoren, welche die von Intel erzielten Ergebnisse und Pläne beeinflussen können, sind
im Detail in den bei der US Securities and Exchange Commission (SEC) hinterlegten Unterlagen und dem 10-KFormular des aktuellen Jahresberichts einsehbar.
Pressekontakte:
Jenni Kommunikation
Sylvana Zimmermann
Tel. +41 44 388 60 80
intel@jeko.com
Intel Corporation
Mikael Moreau
Tel. : +33 1 58 87 72 29
mikael.moreau@intel.com